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打破美日壟斷!國產晶片技術迎來突破,半導體行業加速自主化

2021-06-17由 欣兒媽的育兒日記 發表于 母嬰

在受到西方國的技術封鎖、原材料斷供等手段之後,我國的晶片市場遭到了前所未有的打擊,在這樣的情況下,諸多西方媒體紛紛跳出來說著“中國晶片自主研發是妄想”等言論,但事實真就如他們所說嗎?

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其實隨著

我國科技方面的不斷進步,一個個科技難題被攻破

,我國在晶片領域的發展可謂是突飛猛進,用ASML總裁的話來說就是:

“如果繼續對中國進行技術封鎖,要不了多久中國就能實現晶片自主化。”

【晶片核心材料獲突破】

在“中國芯”的研發道路上,

不僅光刻機被荷蘭ASML壟斷,製造晶片的核心材料也是時常遭受“斷供威脅”。

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晶片的研發製作必然離不開光刻,而在光刻的過程中,

光刻膠和光刻機都是其中必不可少的一員

,光刻膠的精密度越大則生產出的晶片就越先進。

簡單來說,如果沒有好的光刻膠,即便我們有最先進的EUV光刻機也是形同虛設,

光刻膠是除了光刻機之外的第二大技術難題。

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高精度光刻膠的生產技術牢牢掌握在日本手中,我國只能夠生產出一些低精度的光刻膠,

高精度光刻膠的來源主要是進口

,而據資料顯示,

全球市場上高階光刻膠由90%以上是由日本和美國提供,我們也時常因此被“卡脖子”。

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就是在西方強國技術封鎖的情況下,

我國將光刻膠自主研發提上了日程

,並在2019年建立光刻膠的生產基地,耗時兩年後終於傳來了好訊息:

光刻膠已經自主研發成功

,國產光刻膠迎來曙光,為國內半導體行業的發展帶來了新的希望,一舉擺脫“卡脖子”的窘境。

【刻蝕機難題得到攻克】

除了製造晶片的核心材料光刻膠得到突破以外

,我國在晶片裝置研發上也傳來了利好訊息

,在全球各大晶片企業研發刻蝕機無法取得突破的同時,

我國的中微半導體公司率先研製出了3nm刻蝕機

,並且已經完成了原型機設計、測試工作,如此高精度的刻蝕機可以說在全球都是不可多得的存在。

有人看到這可能會有些迷茫,

刻蝕機的工作原理是什麼?它突破有何意義?光刻機有何不同?

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其實,

刻蝕機對於“中國芯”的研發來說,也是有著舉足輕重的作用

,刻蝕機和光刻機雖然僅僅一字之差,但是它們分別是晶片製造中兩個關鍵流程所用到的裝置。

刻蝕機的工作原理按照光刻機在矽片上燒錄出的電路結構上進行微觀雕刻出溝槽,而光刻機則是用來把掩膜版上的精細圖案透過曝光印製到矽片上。

總的來說,

光刻機就如同我們的車載導航,而刻蝕機則代表著我們的車輛

,只要跟著導航走就能夠安全到達指定地點。

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隨著3nm刻蝕機的問世,我國的國產晶片水平更上一層樓,同時

它的出現也讓不少國人們看到了“中國芯”問世的希望。

但也有部分人表示,

有著高精度刻蝕機沒有高精度光刻機,“中國芯”也難以得到實現

,但事實真就是如此嗎?

【國產光刻機還會遠嗎?】

一直以來,光刻機都是生產高精度晶片的核心裝置,而光刻機生產技術一直牢牢掌控在荷蘭ASML公司手中,而ASML又因為與美國的協議無法對我國出口光刻機,導致我國半導體領域發展一直萎靡不振。

但是最近,我國最大的光刻機廠商上海微電子傳來了好訊息:

其公司自主研發的28奈米光刻機已經問世並且透過認證,預計在年底可以正式交付投入使用。

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國產光刻機的問世也讓許多人發出質疑,

國產光科技的工作效率和質量能和ASML公司的光刻機媲美嗎?

值得一提的是,

上微電子所研發出的光刻機進度和ASML的DUV光刻機是一樣的

,而DUV光刻機在英特爾手中被用來製造出了10奈米晶片,臺積電更是用DUV光刻機量產出了7奈米晶片。

這也就意味著,

我國只要時機成熟,完全可能由現如今的量產28奈米晶片技術跳躍到量產7奈米晶片技術。

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除此之外,根據我國目前對於晶片的需求來看,28奈米的晶片已經能夠滿足大部分市場需求,而上

海微電子研發的這臺28奈米光刻機更是讓“中國芯”的實現更進一步。

如今看來,在

美國晶片禁令的影響

下,雖說

對於我國半導體事業雖說有一定影響

,但與此同時

更加快了“中國芯”的發展程序

,美國這一做法無疑是搬起石頭砸自己的腳。

我國先後在

光刻膠、蝕刻機、光刻機

等領域取得突破,所以我國想要突破晶片國產化只是時間問題,

我國的半導體行業也正在飛速發展,等到我國打造出屬於自己的晶片產業鏈,晶片禁令也將成為笑談!

最後,對於美國在晶片上對我國進行打壓的行為,你又有什麼不同的看法呢?歡迎你們在評論區與零零柒進行探討。

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