PI於近期推出了一款USB PD快充設計範例報告（DER-928），這款設計範例使用了兩顆PowiGaN晶片實現了30。3W/in³的功率密度。設計範例用使用了高效率ACF拓撲，使用新款InnoSwitch4-CZ零電壓開關和ClampZero晶片組合實現了高功率密度的開關電源設計。並使用MinE-CAP晶片自動切換不同耐壓的初級電容。雙管齊下，將氮化鎵快充體積進一步縮小。

PI推出的DER-928參考範例報告透過使用兩顆氮化鎵晶片，顯著縮小了充電器的體積。60W的設計只有45*45*16mm大小，充分體現了氮化鎵在減小充電器體積，提高功率密度的優勢。

DER-928是一款60W寬電壓輸入的USB PD快充設計範例報告，輸入支援90-265Vac寬電壓，支援5V/3A；9V/3A；15V/3A；20V/3A四檔輸出電壓。

DER-928設計範例使用了PI新款主動鉗位反激晶片InnoSwitch4-CZ和ClampZero組成高效能的主動有源鉗位開關電源拓撲，在DCM和CCM執行模式下都能實現主開關管的零電壓開通。該設計範例具有小於60mW的空載輸入功耗，滿足DOE6和CoC V5 2016能效要求。內建輸出過壓和過流保護，內建過熱保護功能。

InnoSwitch4-CZ是PI新一代採用了PowiGaN氮化鎵技術的整合電源晶片，該晶片透過外接的ClampZero組成有源鉗位反激架構，可將漏感能量回收並傳送至次級。相比傳統反激漏感能量全部由發熱耗散，有源鉗位反激可將漏感能量再利用，同時減小開關管開關損耗，提高轉換效率，在不同的負載條件和輸入輸出電壓下都能保持極高的效率。提高開關頻率至140KHz，從而顯著減小充電器的體積。

MinE-CAP晶片可根據輸入的交流電壓，採用低壓大容量電容與高壓小容量電容的組合。其內建了PowiGaN開關管，利用氮化鎵低導阻的特性，根據輸入電壓自動並聯或斷開低壓電容，而無需使用一顆大容量的高壓電解電容濾波。透過使用MinE-CAP，減小了充電器內部電容體積，實現同等的濾波效果，滿足低電壓下滿載輸出。

PI推出的MinE-CAP電容切換器件可與InnoSwitch系列開關器件搭配使用，外圍元件非常精簡。透過共同使用這些器件，進行開創式的設計。

文章來源：PI電源晶片