MOSFET米勒平臺的形成原理（三）
Id在上升到最大值以後，也就是MOS和diode換流結束後，Id就等於電感電流IL了，而此時又處於飽和區，所以Vgs就會維持不變，也就是維持米勒平臺的電壓...教科書一般的拆修Vmax雷達線雕儀去皺美容儀，詳細分析電路結構
分析如下：開環驅動無反饋，mos開通後給左面電感充電，關斷後反電動勢和輸入串聯後透過右面電感和隔直電容對輸出電容充電，由於輸出電感電流不能突變，輸出電容電壓將以正弦波形慢慢增大到峰值，然後隨著輸入電感能量逐漸變小，輸出電壓波形幅度慢慢下降，...MOS損壞的主要原因及解決方案
（即，柵極先給 Cgs 充電，到達一定平臺後再給 Cgd 充電）因為這個時候源級和漏級間電壓迅速變化，內部電容相應迅速充放電，這些電流脈衝會導致 MOS 寄生電感產生很大感抗，這裡面就有電容，電感，電阻組成震盪電路（能形成 2 個迴路），並...
LP6460頻率600KHz，16V2A同步降壓轉換器，高壓降壓IC
外接MOS降壓晶片：LP6252，LP6210B6F，LP6253H，LP6209B5F，LP6255，LP6256，LP6257，LP6260，LP6261高電壓輸入（外接MOS）降壓晶片：LP6460，LP6470，LP6470TB6F...
LP5300過流過壓保護晶片6V2A，可完全替代WS3202
外接MOS降壓晶片：LP6252，LP6210B6F，LP6253H，LP6209B5F，LP6255，LP6256，LP6257，LP6260，LP6261高電壓輸入（外接MOS）降壓晶片：LP6460，LP6470，LP6470TB6F...
Chamber Projects，紐約當代設計之魂
●OBJECTSDumb and Dumber， Jumbo， 2020Fuso， Ries， 2019Laced Bodies， Müsing–Selles， 2019Daybed， New Tendency， 2017Hydro Dip...