北京時間凌晨5點，英特爾新任CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）宣佈，隨著晶片製程越來越逼近1nm，英特爾將開啟一套全新的命名系統，不再以奈米（nm）命名，而是以Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A等進行命名。

其中，Intel 7是英特爾此前的10nm Enhanced SuperFin技術、Intel 4是英特爾此前的7nm技術、Intel 3則是更新一代的技術。

英特爾中國研究院院長宋繼強告訴36氪，因為當前業內各家採用了不同的命名方法，因此很難將Intel 3與目前市面上其他企業採用的5nm、3nm命名方式進行直接對比。使用者可以根據產品效能、電晶體密度等引數進行橫向對比。

此外，英特爾還宣佈了幾項其他進展：

1、正在生產的英特爾10nm晶圓數量，已遠超同期生產的14nm晶圓數量。

2、宣佈兩項埃米時代的突破性製程技術：英特爾近十多年來推出的首個全新電晶體架構RibbonFET，以及業界首個背面電能傳輸網路PowerVia。

3、

 AWS亞馬遜雲將成為首個採用英特爾代工服務（IFS）先進封裝解決方案的客戶， 高通 將成為首個採用Intel 20A先進製程工藝的客戶。

英特爾CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger），圖源：英特爾

業內對晶片製程節點所描述的「x奈米」最初指的是晶片電晶體的實際柵極長度，數字越小，柵極長度越短，同樣面積的晶片上就能容納更多的 電晶體 ，效能就會隨之提高。

不過基辛格表示，從1997年開始，電晶體的運算速度、價格、能效比等其他非體積因素也開始在晶片系統中扮演了重要影響因素。此時傳統的「x奈米」命名方式開始與電晶體實際柵極長度不再匹配。

而自從2011年英特爾推出FinFET技術之後，業內幾乎完全放棄了柵極長度的命名系統，各家企業用上了自己的技術路徑，從而有時會出現A家的12nm效能比B家的10nm效能更強的現象。

基辛格表示，隨著當前晶片技術節點不斷逼近1nm的極限，英特爾基於效能、功耗、面積關鍵技術引數，重新設計了自家晶片製程的命名系統。

英特爾新制程節點命名，圖源：英特爾

具體來說，

 英特爾此前的10nm Enhanced SuperFin將改名為Intel 7；英特爾此前的7nm將改名為Intel 4；

與上一代相比，Intel 4的每瓦效能提高了約20% ，並將是英特爾首個完全採用EUV光刻技術的FinFET技術節點。

 Intel 4將於2022年下半年投產，2023年出貨

，產品包括面向客戶端的Meteor Lake和麵向資料中心的Granite Rapids。

而英特爾7nm之後的技術節點被命名為Intel 3；

較之Intel 4，Intel 3將在每瓦效能上實現約18%的提升，實現了更高密度、更高效能的庫；提高了內在驅動電流；透過減少通孔電阻，優化了互連金屬堆疊。

 Intel 3將於2023年下半年開始生產相關產品。

而在Intel 3之後的下一個技術節點，英特爾將其命名為Intel 20A。這裡的A值的是「埃米」，一個晶體學、原子物理、超顯微結構等常用的長度單位，它的長度是奈米的十分之一。

 Intel 20A預計將在2024年推出。

英特爾表示，這一命名反映了向新時代的過渡，即工程師在原子水平上製造器件和材料的時代——半導體的埃米時代。

針對英特爾先進製程工藝的推出節奏，英特爾中國研究院院長宋繼強告訴36氪，根據當前英特爾工廠裡的測試、實驗、生產驗證資料反饋，

 目前英特爾對先進工藝生產製造的時間預期非常有信心

，會嚴格按照這一技術路徑來執行。

上文提到的英特爾推出的首個全新電晶體架構RibbonFET，以及業界首個背面電能傳輸網路PowerVia是埃米時代的兩項關鍵技術。

RibbonFET與FinFET，圖源：英特爾

RibbonFET是英特爾研發的Gate All Around電晶體，是公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新電晶體架構，提供更快的電晶體開關速度，同時以更小的佔用空間實現與多鰭結構相同的驅動電流。PowerVia能夠消除晶圓正面的供電佈線需求，最佳化訊號佈線，同時減少下垂和降低干擾。

英特爾還表示，

 比20A更先進的18A工藝節點也已在研發中，將於2025年初推出

，它將對RibbonFET進行改進。

此外，英特爾正與ASML密切合作，有望率先獲得業界第一臺High-NA EUV光刻機，超越當前一代EUV技術。

在客戶方面，英特爾宣佈，AWS亞馬遜雲將成為首個採用英特爾代工服務（IFS）先進封裝解決方案的客戶，高通將成為採用Intel 20A先進製程工藝的客戶。

帕特·基辛格說，“對於未來十年走向超越’1奈米’節點的創新，英特爾有著一條清晰的路徑。我想說，

 在窮盡元素週期表之前，摩爾定律都不會失效。