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傳中芯國際14nm良率已達95%,可追平臺積電

2021-04-14由 芯智訊 發表于 科技

傳中芯國際14nm良率已達95%,可追平臺積電

3月10日上午,據“選股寶”爆料稱,從供應鏈獲悉,中芯國際14nm製程工藝產品良率已追平臺積電同等工藝,水準達約90%-95%。與此同時,中芯國際各製程產能滿載,部分成熟工藝訂單已排至2022年。

2019年四季度,中芯國際的14nm工藝正式量產,隨後在2020年上半年成功用14nm工藝為華為代工了麒麟710A處理器,併成功應用在了榮耀Play4T手機上。可惜的是,在2020年5月,美國進一步升級了對華為的制裁之後,中芯國際無法繼續利用美國裝置為華為代工處理器。

2020年11月,中芯國際聯席CEO梁孟松博士在投資者調研會議上透露,“14nm工藝在2019年第四季度進入量產後至今,良率已達業界量產水準。隨著我們展現出的研發執行能力,客戶對中芯國際技術的信心也在逐步增強,我們將持續提升產品和服務競爭力,引入更多的海內外客戶。”

2020年12月18日晚間,美國商務部以保護美國國家安全和外交利益為由,宣佈將中芯國際及其部分子公司及參股公司列入“實體清單”,並表示將對於中芯國際研發10nm及以下先進工藝所需的物品申請都會直接拒絕。這也為中芯國際先進製程的發展帶來了非常大的障礙。

所幸的是,本月初有訊息顯示,中芯國際已獲得部分美國裝置廠商供應14nm及以上成熟製程裝置的供應許可,並且中芯國際之前一直有申請但未獲透過的一類關鍵裝置(用於14nm),此次也獲得了透過。這也意味著中芯國際14nm工藝能夠繼續運轉。

在此前的投資人會議上,中芯國際聯席CEO趙海軍透露,2020年年底中芯國際已經完成了14nm工藝每月15000片安裝產能的目標。但離規模經濟尚遠,如需進一步擴產,還需要走出口許可證的申請流程。

趙海軍還表示,中芯國際還會考慮加強第一代、第二代FinFET多元平臺開發和布建,並拓展平臺的可靠性及競爭力。

根據去年底梁孟松在辭職信上透露的資訊顯示,目前中芯國際的“14nm, 12nm, 及N+1等技術均已進入規模量產,7nm技術的開發也已經完成,2021年4月就可以馬上進入風險量產。5nm和3nm的最關鍵、也是最艱鉅的8大項技術也已經有序展開, 只待EUV光刻機的到來,就可以進入全面開發階段。”

據芯智訊瞭解,芯動科技和嘉楠科技都是中芯國際的N+1工藝的客戶。

另外值得一提的是,3月3日中芯國際釋出公告稱,與荷蘭阿斯麥(ASML)達成12億美元的產品購買單,根據ASML後續公告,這筆錢用於購買除DUV光刻機及相關的物料和服務。

編輯:芯智訊-浪客劍

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