從 東芝 剝離出來的鎧俠一門心思只做快閃記憶體一種產品。在2019年首次宣佈PLC（每單元儲存5位元資料）快閃記憶體之後，鎧俠今年在 IEEE 電子器件技術與製造會議（EDTM）上展示了對HLC（每單元儲存6位元資料）和OLC（每單元儲存8位元資料）快閃記憶體的研究成果。

快閃記憶體使用電子來儲存資料，儲存1位元資料的SLC快閃記憶體只需要兩個閾值電壓來區分0（程式設計狀態）和1（擦除狀態）。儲存2位元資料的MLC需要四種閾值電壓來區分00、01、10和11。發展到每個單元儲存6位元資料的HLC之後，閾值電壓數量多達64個，哪怕只是看一眼下圖都會令人頭皮發麻，不難體會到資料保持和糾錯難度有多高。

現有的技術條件無法讓HLC快閃記憶體在常溫條件下正常工作，或者說雖然造得出來，但是沒法用（壽命太低、資料太容易出錯）。下表是不同型別快閃記憶體的擦寫壽命，3D QLC快閃記憶體可以擦寫300到1000次，目前尚未量產的PLC快閃記憶體預計是300次以下，HLC估計只有不到100次，OLC預計不到50次……

鎧俠的方法是透過讓快閃記憶體處於液氮環境下工作，極低的溫度（-196度）能夠減少對隧道絕緣膜的需求、降低電壓要求並降低了寫入對快閃記憶體的磨損影響，結果使得讀取噪聲顯著降低、寫入壽命延長，資料斷電儲存時間增加。

鎧俠在極低溫度下讓HLC快閃記憶體實現了1000次擦寫壽命。在考慮到製冷的成本開銷之後，鎧俠認為在液氮環境下使用HLC和OLC快閃記憶體相比在常溫條件下使用QLC快閃記憶體仍然具備成本優勢。目前這些研究都是在實驗室環境下進行的，距離商業化還有很長的路要走。如果未來6bit/cell的HLC無法在常溫低下達到可觀的擦寫壽命，5bit/cell的PLC有可能將成為多級快閃記憶體發展的終點。