氮化鎵是第三代半導體器件，相比矽器件具有更快的開關速度，更低的開關損耗和更低的導阻。非常適合小體積高功率輸出的氮化鎵快充應用。

透過將氮化鎵技術大規模應用在充電器上，不光可以提高充電器的效率，還可以降低發熱，提高開關頻率，減小充電器的體積。讓充電器變得便攜的同時，還節省了能源消耗。

聚能創芯是一家專注GaN產業，聚焦功率器件，致力於為業界提供高效能、低成本的GaN器件產品和解決方案的 GaN IDM公司。

針對30-240W快充應用場景，聚能創芯推出了5款高性價比氮化鎵功率器件，均採用小體積貼片封裝，耐壓為650V，符合JEDEC的標準應用要求，具有極低的Qg，無反向恢復電荷，支援超快的開關速度。相比矽器件顯著降低開關損耗和傳導損耗，大幅提升快充應用的功率密度。

目前

聚能創芯已

推出30-120W氮化鎵PD快充方案

，並支援客戶定製

。

CGK65R400B

聚能創芯CGK65R400B是一款耐壓650V，導阻350mΩ的增強型氮化鎵開關管，支援超快開關，具有低柵極電荷和輸出電荷，支援開爾文源極，符合JEDEC的標準級應用認證。

聚能創芯CGK65R400B採用PQFN5*6封裝，適用於高壓AC/DC轉換，可應用在30W功率段反激主功率開關管，120W LLC主功率開關管。

CGK65R190B

聚能創芯CGK65R190B是一款耐壓650V，導阻170mΩ的增強型氮化鎵開關管，支援超快開關，具有低柵極電荷和輸出電荷，支援開爾文源極，符合JEDEC的標準級應用認證。

聚能創芯CGK65R190B採用PQFN5*6封裝，適用於高壓AC/DC轉換，可應用在65W功率段反激主功率開關管，140W LLC主功率開關管。

CGL65R190B

聚能創芯CGL65R190B是一款耐壓650V，導阻170mΩ的增強型氮化鎵開關管，支援超快開關，具有低柵極電荷和輸出電荷，支援開爾文源極，符合JEDEC的標準級應用認證。

聚能創芯CGL65R190B採用PQFN8*8封裝，可應用在65-100W功率段反激主功率開關管，100W功率段 PFC主功率開關管，200W功率段 LLC主功率開關管。

CGL65R150B

聚能創芯CGL65R150B是一款耐壓650V，導阻120mΩ的增強型氮化鎵開關管，支援超快開關，具有低柵極電荷和輸出電荷，支援開爾文源極，符合JEDEC的標準級應用認證。

聚能創芯CGL65R150B採用PQFN8*8封裝，適用於高壓AC/DC轉換，可用在140W功率段PFC主功率開關管，240W功率段 LLC主功率開關管。

CGL65R070B

聚能創芯CGL65R070B是一款耐壓650V，導阻55mΩ的增強型氮化鎵開關管，支援超快開關，具有低柵極電荷和輸出電荷，支援開爾文源極，符合JEDEC的標準級應用認證。

聚能創芯CGL65R070B採用PQFN8*8封裝，可應用在240W功率段PFC主功率開關管。

聚能創芯推出的四款氮化鎵器件，均屬於增強型氮化鎵功率器件，可搭配專用的氮化鎵控制器使用，支援PFC、反激以及LLC等電路拓撲。可應用於開關電源，功率因數校正，電機驅動，逆變器，UPS等場合。

除了在快充上的應用以外，以上器件還可以應用在相同功率段的智慧家電，LED照明，小型工業裝置電源等領域，提高轉換效率的同時，提升電源的功率密度。