（全球TMT2021年9月23日訊）德州儀器（TI）宣佈其氮化鎵（GaN）技術和 C2000™ 實時微控制器（MCU），輔以臺達（Delta Electronics）長期耕耘之電力電子核心技術，為資料中心開發設計高效、高功率的企業用伺服器電源供應器（PSU）。與使用傳統架構的企業伺服器電源供應器相比，臺達研發的伺服器電源供應器將功率密度提高了80%，效率提升1%。能源政策機構Energy Innovation資料顯示，效率每提升1%，相當於每個資料中心節省了1兆瓦（或800戶家庭用電）的總所有成本。

臺達為全球客戶提供電源管理與散熱解決方案，同時也是AC-DC、DC-DC與DC-AC電源系統的領導廠商，產品應用範圍廣泛，包括IT裝置、電動車充電與工業電源等。TI在GaN技術以及C2000™ MCU實時控制解決方案上長達十年的投資有目共睹，是臺達長期合作的重要夥伴。此次TI採用創新的半導體制造工藝來製造矽基氮化鎵和積體電路，助力臺達等企業打造差異化應用，更高效地為世界各地的資料中心供電。

整合的

GaN 晶片提供更高的效率、功率密度和系統可靠性

在高電壓、高功率工業應用中，TI的GaN FET集成了快速開關驅動器，以及內部保護和溫度感測功能，能夠更好地在有限的電路板空間內實現高效能。

晶片透過4000萬小時以上的裝置可靠性測試和超過5 GWh的功率轉換測試，可提供嚴謹可靠的資料，並可透過GaN構建更小、更輕、更高效的電源系統。

TI 的GaN電源解決方案同C2000™實時MCU相結合，可提供複雜的時延敏感處理、精確控制及軟體與外設的可擴充套件性等眾多優勢。此外，這些MCU可支援不同的電源拓撲設計和高開關頻率，更大限度提升電源效率，充分發揮基於GaN的伺服器供電單元的潛力。